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半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為基礎產(chǎn)業(yè),而現有的物理實(shí)驗中涉及半導體物理的少。我們從物理實(shí)驗的需求出發(fā),以基本的PN結半導體器件,開(kāi)設了個(gè)半導體物理實(shí)驗,根據PN結的正向壓降與其正向電、溫度的關(guān)系,研究PN結的伏安性,測量波爾茲曼常數,估測半導體材料的禁帶寬度,從而很好地學(xué)習和掌握些重要的半導體物理知識。
儀器心,不但思路,而且性能穩定,測量度好,適用于大院校普通物理實(shí)驗和有關(guān)業(yè)的半導體物理實(shí)驗。
可開(kāi)設的實(shí)驗
1、測量同溫度下,正向電壓隨正向電的變化關(guān)系,繪制伏安性曲線(xiàn);
2、在同恒定正向電條件下,測繪PN結正向壓降隨溫度的變化曲線(xiàn),計算靈敏度,估算被測PN結材料的禁帶寬度;
3、學(xué)習用Execl行數函數的曲線(xiàn)回歸的方法,并計算出玻爾茲曼常數;
4、探究:用給定的PN結測量未知溫度。
主要點(diǎn)
1、開(kāi)放式,提供多個(gè)通用式的溫度插孔,可方便地插入被測傳感器。PN結傳感器可以隨時(shí)取出,不但可以實(shí)驗,也可以用于實(shí)際溫度測量。除PN結傳感器外,用戶(hù)可根據自有條件,用來(lái)測量熱敏電阻、銅電阻、熱電偶、 AD590和LM35等溫度傳感器,具有很好的拓展性。
2、更地測量玻爾茲曼常數。沒(méi)有采取常規的加正向壓降測正向微電的方法,而是別了個(gè)能穩定輸出1nA~1mA范圍的微電源,解決了測量微電跳字、不穩定的問(wèn)題,能準確地測量正向壓降。
3、在常溫下就能估測出零度時(shí)硅材料的禁帶寬度,而不需要在冰水混合物中測量,不但簡(jiǎn)化了測量方法和過(guò)程,而且避免了由于冰水混合物溫度失準帶來(lái)的誤差。
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